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パルス電源同期システム

パルス電源同期システム
パルス電源同期システム2

製品仕様

製品名
(形式)
パルス電源同期システム(TE-HP203B502B)
入力 電圧:3相200V±10%, 50/60Hz
電流:102.8A(typ.)
電力:35.6kVA(typ.)
スパッタリング用出力パルス(パルスモード) ・正電圧(SP-Vp):0~200V
 電流:300Amax(Duty5%時)
 平均電力:0~3kW
・負電圧(SP-Vn):0~1,200V
 電流:1,000Amax(Duty1.7%時)
 平均電力:0~20kW
 出力電圧立上り:1,000V到達時間、2μs以下
 最大ピーク電力:1kW/cm2以上(6インチカーボンターゲット)
スパッタリング用DC出力
(DCモード)
・正電圧(SP-Vp):0~200V
 電流:0~15Amax
 電力:0~3kW
 制御:定電圧/定電流/定電力(以下CV/CC/CP省略)選択
 操作:リモート/ローカル 選択
 表示:出力電圧/電流/電力 切替
・負電圧(SP-Vn):0~1,200V
 電流:0~17Amax
 電力:0~20kW
 出力電圧立上り:1,000V到達時間、2μs以下
 制御:CV/CC/CP 選択
 操作:リモート/ローカル 選択
 表示:出力電圧/電流/電力 切替
基板バイアス用出力パルス
(パルスモード)
・正電圧(BI-Vp):0~200V
 電流:30Amax(Duty1%時)
 平均電力:0~500W
・負電圧(BI-Vn):0~1,000V
 電流:100Amax(Duty1%時)
 平均電力:0~5kW
 出力電圧立上り:1,000V到達時間、2μs以下
基板バイアス用DC出力
(DCモード)
・正電圧(BI-Vp):0~200V
 電流:0~2.5Amax
 電力:0~500W
 制御:CV/CC/CP 選択
 操作:リモート/ローカル 選択
 表示:出力電圧/電流/電力 切替
・負電圧(BI-Vn):0~1,000V
 電流:0~5Amax
 電力:0~5kW
 出力電圧立上り:1,000V到達時間、2μs以下
 制御:CV/CC/CP 選択
 操作:リモート/ローカル 選択
 表示:出力電圧/電流/電力 切替
パルスモード同期パルス設定
(スパッタリング、基板バイアス)
周期(Tc):500μs~9,999μs(周波数:100Hz~2kHz)
Duty: 正電圧1.0%~95%
負電圧1.0%~95%
N出力パルス幅(Tnon):10μs~4,750μs
N出力~P出力切替時間(Toff):10μs~4,750μs
P出力パルス幅(Tpon):10μs~4,750μs
基板バイアスシフト幅(Td):-999μs~+999μs
※パルス設定については、1μs単位での設定が可能
基板バイアスN出力パルス幅(Tbon):10μs~4,750μs
コントロールユニット ◆機能
ローカル/リモート切替:押釦スイッチ
・ローカル機能
 DC電源ON/OFF:押釦スイッチ
 RESET:押釦スイッチ
 スパッタイング正極電圧設定:ポテンショメータ(Vp SET)
 スパッタリング負極電圧設定:ポテンショメータ(Vn SET)
 基板バイアス正極電圧設定:ポテンショメータ(Vbp SET)
 基板バイアス負極電圧設定:ポテンショメータ(Vbn SET)
 周期(Tc)設定500μs~9,999μs:サムロータリースイッチ
 N出力パルス幅設定(Tnon)10μs~4,750μs:サムロータリースイッチ
 N出力~P出力切替時間設定(Toff)10μs~4,750μs:サムロータリースイッチ
 P出力パルス幅設定(Tpon)10μs~4,750μs:サムロータリースイッチ
 基板バイアスシフト幅設定(Td)-999μs~+999μs:サムロータリースイッチ
 基板バイアスN出力パルス幅設定(Tbon)10μs~4,750μs:サムロータリースイッチ
・リモート機能
 DC電源ON/OFF:無電圧接点
 スパッタリング正極電圧設定:アナログ0~10V(0V~+200V)
 スパッタリング負極電圧設定:アナログ0~10V(0V~-1200V)
 基板バイアス正極電圧設定:アナログ0~10V(0V~+200V)
 基板バイアス負極電圧設定:アナログ0~10V(0V~-1000V)
◆表示
・インターロック表示
 Sputtering ARC
 Sputtering DC P
 Sputtering DC N
 Sputtering Pulse
 Sputtering R Unit
 Bias ARC
 Bias DC P
 Bias DC N
 Bias Pulse
 EXT(外部インターロック)
・電圧表示:3-1/2桁パネルメータ
 スパッタイング正極電圧
 スパッタリング負極電圧
 基板バイアス正極電圧
 基板バイアス負極電圧
制限抵抗 容量:3kW程度(スパッタリング)750W程度(基板バイアス)
機能:負荷とのインピーダンス整合を取ること、及び負荷短絡時の過大電流からパルスユニットを保護します。負荷と直列に挿入されるため、この抵抗器での電圧分担が生じます。このため、負荷に供給される電圧(電力)は減少します。
冷却方式 強制空冷式
外形寸法 幅 600mm×高さ 2143mm×奥行 800mm(突起物を除く)

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